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高频器件

162025-07
新材料如何重塑微波器件？GaN与SiC带来的性能革命解析微波器件正经历材料层面的根本性变革。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，凭借其突破性的物理特性，正在射频功率放大器、雷达系统等高频应用场景中替代传统材料。这种材料革命不仅改变了核心半导体器件，也深刻影响着电容器、传感器等...

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