新闻动态_第1392页

092023-06
Nichicon 薄膜电容器 QAP2E106KRPNichicon薄膜电容器 QAP2E106KRP塑料薄膜电容器 QXK-ZH (扩展标准型)金属化聚酯薄膜电容器在高频应用、自愈性和非感应结构中，使用由真空蒸发金属覆盖的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜制成的电介质，具有高度可靠和优越的性能。采用液...
092023-06
Nichicon 薄膜电容器 1uF 400VNichicon薄膜电容器 1uF 400V塑料薄膜电容器 QXK-ZH (扩展标准型)金属化聚酯薄膜电容器在高频应用、自愈性和非感应结构中，使用由真空蒸发金属覆盖的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜制成的电介质，具有高度可靠和优越的性能。采用液体环氧...
072023-06
KEMET 薄膜电容器 100volts 1.5uFKEMET 薄膜电容器 100volts 1.5uF金属化聚苯硫醚，稳定+150C高温电容器SMR，5.0–27.5 mm引线间距，50–400 VDCSMR系列是一种金属化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸发铝电极的电容器。镀锡线的径向引线与电容器绕...
072023-06
KEMET 薄膜电容器 SMR15105J100B06L16.5CBULKKEMET 薄膜电容器 SMR15105J100B06L16.5CBULK金属化聚苯硫醚，稳定+150C高温电容器SMR，5.0–27.5 mm引线间距，50–400 VDCSMR系列是一种金属化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸发铝电极的电容器。镀锡...
072023-06
KEMET 薄膜电容器 SMR22.5684K250D17L4TRAYKEMET 薄膜电容器 SMR22.5684K250D17L4TRAY金属化聚苯硫醚，稳定+150C高温电容器SMR，5.0–27.5 mm引线间距，50–400 VDCSMR系列是一种金属化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸发铝电极的电容器。镀锡线的...
072023-06
KEMET 薄膜电容器 SMR5474J50J04L4BULKKEMET 薄膜电容器 SMR5474J50J04L4BULK金属化聚苯硫醚，稳定+150C高温电容器SMR，5.0–27.5 mm引线间距，50–400 VDCSMR系列是一种金属化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸发铝电极的电容器。镀锡线的径向引线...
072023-06
KEMET 薄膜电容器 2.2uF 63VKEMET 薄膜电容器 2.2uF 63V金属化聚苯硫醚，稳定+150C高温电容器SMR，5.0–27.5 mm引线间距，50–400 VDCSMR系列是一种金属化聚苯硫醚薄膜具有真空蒸发铝电极的电容器。镀锡线的径向引线与电容器绕组端部上的...
052023-06
2023芯片市场的现状与趋势今年的芯片行情正所谓一波三折，从经济体系可以侧面看出，随着人工智能的发展，如GPU相关的芯片市场供不应求据Gartner预测，2023年全球半导体收入总额将达到 5320 亿美元，与2022年的5996亿美元相比下降 11.2%。在经历了过...

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