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基于硅的射频电容器/薄膜电容器

• 272025-03
  600L7R5JTN200T600L7R5JTN200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 7.5pF Tol 5%
• 272025-03
  600L7R5CT200T600L7R5CT200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 7.5pF Tol 0.25pF
• 272025-03
  600L7R5BW200T600L7R5BW200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 7.5pF Tol 0.1pF
• 272025-03
  600L7R5BT200T600L7R5BT200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 7.5pF Tol 0.1pF
• 272025-03
  600L6R8JT200T600L6R8JT200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 6.8pF Tol 5%
• 272025-03
  600L6R8CT200T600L6R8CT200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 6.8pF Tol 0.25pF
• 272025-03
  600L6R8BW200T600L6R8BW200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 6.8pF Tol 0.1pF
• 272025-03
  600L6R8AT200T600L6R8AT200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 6.8pF Tol 0.05pF