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基于硅的射频电容器/薄膜电容器

• 272025-03
  600L0R2AW200T600L0R2AW200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 0.2pF Tol 0.05pF
• 272025-03
  600L0R1BW200T600L0R1BW200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 0.1pF Tol 0.1pF
• 272025-03
  600L0R1AW200T600L0R1AW200T - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200V 0.1pF Tol 0.05pF
• 272025-03
  600F9R1JT250XT600F9R1JT250XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 250V 9.1pF NP0 0805 5%
• 272025-03
  600F9R1CT250XT600F9R1CT250XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 250volts 9.1pF NP0
• 272025-03
  600F9R1BT250XT600F9R1BT250XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 250volts 9.1pF NP0
• 272025-03
  600F910JT250XT600F910JT250XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 250volts 91pF 5% NP0
• 272025-03
  600F910GW250XT600F910GW250XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 250volts 91pF 2%