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基于硅的射频电容器/薄膜电容器

• 272025-03
  100B331JT200XT100B331JT200XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200volts 330pF 5%
• 272025-03
  100B331GT200XT100B331GT200XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200volts 330pF 2%
• 272025-03
  100B330JW500XT100B330JW500XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 500volts 33pF 5%
• 272025-03
  100B330JP500XT100B330JP500XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 500V 33pF 5%
• 272025-03
  100B330GTN500XC100100B330GTN500XC100 - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 33PF 500V 2% 1111
• 272025-03
  100B301JT200XT100B301JT200XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 200volts 300pF 5%
• 272025-03
  100B300JW500XT100B300JW500XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 500volts 30pF 5%
• 272025-03
  100B300JT500XT100B300JT500XT - 基于硅的射频电容器/薄膜电容器 500volts 30pF 5%