Login
用户登录
登录
忘记密码?
立即注册
首页
关于我们
公司简介
新闻动态
公司动态
行业资讯
媒体报道
产品展示
主动器件
接口及驱动
系统外围芯片
被动器件
模拟芯片
传感器/电声器件
传感器
电声器件
连接器
电解电容
薄膜电容
解决方案
系统方案
应用方案
资料下载
联系我们
标签列表
Label List
首页
标签
电路设计
电路设计
14
2025-06
电容C值计算全攻略:从平行板到充放电时间计算
为什么电路设计中电容值的选择总是让人头疼?如何精准计算平行板电容或充放电电路的C值?掌握这些核心方法,能显著提升电路设计的可靠性。平行板电容的基础计算电容器的C值与结构参数直接相关。对于理想平行板电容器,其计算公式为:C = ε₀εᵣ A...
14
2025-06
电容公式应用误区盘点:90%工程师都踩过的坑
为什么严格按照电容公式C=Q/V计算,实际电路却总出问题?数据显示,超过65%的电路失效与电容器不当应用有关(来源:ECIA, 2022)。本文盘点五大常见误区,帮助避开设计陷阱。误区一:忽视等效串联电阻(ESR)的影响电容公式中的理想模型...
14
2025-06
电容容量计算黄金法则:公式推导与实例解析
为什么同样的电路设计,不同工程师算出的电容容量总存在差异? 核心在于是否掌握电容容量计算的底层逻辑。本文从基础公式出发,结合典型场景,拆解计算中的关键要点。电容容量计算的核心公式电容器的基本容量公式为:C = Q/V其中:- C 为电容量-...
14
2025-06
解密电容C公式:工程师必须掌握的三大计算方法
工程师在设计电路时,电容容量的选择往往直接影响系统性能。从电源滤波到信号耦合,掌握电容C公式的三大计算方法可能成为提升设计效率的关键。平行板电容:基础公式解析经典的平行板电容公式是所有计算方法的起点:C = ε₀εr (A/d)其中,ε₀...
14
2025-06
电容计算公式终极指南:5种典型场景应用技巧
电容器在电路设计中究竟该如何计算参数?不同应用场景下的计算方法有何差异?本文将系统梳理电容计算的底层逻辑,并针对5种典型应用场景提供实用解决方案。一、基础电容计算公式解析Q=CV是电容器最基本的计算公式,描述电荷量(Q)、电容值(C)与电压...
14
2025-06
片状电容与MLCC的区别:选对元件提升电路性能30%
在电路设计中,片状电容和多层陶瓷电容(MLCC)是最常见的两种元件。但它们的性能差异可能导致电路效率相差30%!如何根据应用场景做出正确选择?核心结构差异决定性能边界物理构造对比片状电容:单层介质结构,电极直接附着在陶瓷介质两侧MLCC:多...
14
2025-06
片状电容失效分析:如何避免电路设计中的常见陷阱
片状电容体积小、性能稳定,是现代电子产品的关键元件。但统计显示,陶瓷电容失效在电子设备故障中占比超过15%(来源:IEEE可靠性报告, 2022)。如何避免设计中的隐性风险?机械应力引发的失效模式PCB弯曲的致命影响当电路板承受机械弯曲时,...
14
2025-06
1.5uf电容失效分析:温度/电压/频率对寿命的影响深度解读
在电路设计中,1.5uf电容的突然失效可能引发系统故障。温度、电压、频率三大因素如何协同作用缩短电容寿命?正全电子结合行业数据,揭示失效背后的深层逻辑。温度:电容的"隐形杀手"高温加速电解液干涸对于电解电容,环境温度每升高一定幅度,电解液挥...
首页
上一页
24
25
26
27
28
下一页
末页
友情链接:
上海工品
vdtcap
深圳唯电
工品电容
itelcond
akkn
粤ICP备2022003869号-1
Xml网站地图